Bài phát biểu chính tại hội nghị lớn Phan Tĩnh - Thiên Tân | Thực trạng và xu hướng phát triển của thiết bị công suất silicon carbide

Ngày 22-23 tháng 5 năm 2024mu88 mu88 casino, sự kiện do ACT International tổ chức đã diễn ra với chủ đề... Hội nghị Phát triển và Cơ hội Công nghệ Tiên tiến Bán dẫn năm 2024 Được tổ chức tại Nam Kinhj88bet, hội nghị tập trung vào Vật liệu bán dẫn hợp chất và quy trình sản xuấtj88bet, đóng gói và công nghệ ứng dụng thiết bị điện lực công suất, sản xuất bán dẫn và đóng gói tiên tiến Những chủ đề nóng trong ngành đã được thảo luận sâu rộng tại hội nghị cấp cao. PineJiemu88 mu88 casino, thương hiệu hàng đầu trong lĩnh vực bán dẫn thế hệ thứ ba, sở hữu nền tảng công nghệ vững chắc và lợi thế toàn diện trong chuỗi cung ứng. Công ty có kinh nghiệm sản xuất mạnh mẽ trong lĩnh vực silic carbua (SiC), và vào năm 2023 đã đưa hơn 1 triệu xe điện mới vào thị trường.

Ông Lê Dươn được mời tham dự và đã có bài phát biểu chủ đề vào sáng ngày 23 tháng 5j88bet, chia sẻ và trao đổi với mọi người Ưu thế hiệu suất tổng thể của chip silic cacbua trên xe 。

Tại hội nghịmu88 mu88 casino, tiến sĩ Lê Dươn đã nói về " ①S iC M Xu hướng phát triển ứng dụng OSFETmu88 mu88 casino, so sánh các tuyến đường công nghệ SiC MOSFET, và công nghệ đóng gói mớ PineJie đã trình bày những quan điểm cụ thể về ba phần chính này một cách khách quanj88bet, đồng thời tham gia vào các cuộc trao đổi sôi nổi cùng các chuyên gia trong ngành.

Theo chia sẻ của tiến sĩ Lei Yangbóng đá số trực tuyến, dựa trên dữ liệu thị trường từ YOLE, nhu cầu về linh kiện công suất silic carbua đang tăng trưởng theo từng năm. Các yêu cầu cốt lõi như khả năng chuyển đổi công suất và hiệu suất chuyển đổi đã trở thành trọng tâm quan tâm của người dùng. Việc thay thế IGBT bằng SiC MOSFET có thể tận dụng tối đa ưu điểm chịu áp cao của thiết bị Ngoài ra, ưu thế về tổn hao chuyển mạch của SiC MOSFET cũng mang lại lợi ích kinh tế rõ rệt trong ứng dụng xe hơi.

Giá của SiC MOSFET trong hai năm gần đây đã giảm đáng kểmu88 mu88 casino, chủ yếu nhờ sự phát triển mạnh mẽ của chuỗi cung ứng và sự giảm giá nguyên vật liệu. SiC MOSFET chủ yếu sử dụng...Cấu trúc cổng phẳngbóng đá số trực tuyến, cấu trúc rãnh kép và cấu trúc rãnh bán baoBa lộ trình công nghệ nàyj88bet, trong đó Ưu điểm của cấu trúc cổng phẳng là độ tin cậy và ổn định cao ， Ưu điểm của cấu trúc rãnh kép là mật độ rãnh cao ， Cấu trúc rãnh bán bao Mặc dù không có ưu thế về mật độ rãnhbóng đá số trực tuyến, nhưng Lớp oxit cổng dày hơn ， Cgd nhỏ hơn Công nghệ cấu trúc cổng phẳng đã rất thành thạomu88 mu88 casino, trong khi công nghệ cấu trúc cổng rãnh đã có bước phát triển nhanh chóng trong vài năm gần đây, khiến thị phần của nó tăng lên đáng kể. Tuy nhiên, giải pháp tối ưu cuối cùng vẫn cần được kiểm chứng bởi thị trường. Về mặt phát triển của thiết bị bán dẫn công suất, để nâng cao hiệu năng, cần thu nhỏ kích thước ô tế bào và tăng mật độ kênh. Silic carbua có cường độ đứt mạch gấp 10 lần so với silic, vì vậy việc thiết kế SiC MOSFET 650V tương đương với thiết kế Si MOSFET 65V, và thiết kế SiC MOSFET 1200V tương đương với thiết kế Si MOSFET 120V. Do đó, chúng ta có thể tham khảo con đường phát triển của Si MOSFET hạ áp.

Vào những năm 1980j88bet, kích thước ô tế bào của MOSFET silic cấu trúc cổng phẳng khoảng 20-30 micromet. Tuy nhiên, do hiện tượng khuếch tán của silic, không thể thu nhỏ thêm nữa, vì vậy chỉ có thể tiếp tục thu nhỏ kích thước ô tế bào thông qua cấu trúc cổng rãnh. Cấu trúc SGT sau đó đã giải quyết vấn đề Cgd lớn của cấu trúc cổng rãnh. Hiện nay, hầu hết các con đường công nghệ của thiết bị bán dẫn công suất đều hướng đến việc thu nhỏ kích thước ô tế bào. Vào năm 2019j88bet, PineJie Semiconductor đã giới thiệu sản phẩm SiC MOSFET với kích thước ô tế bào 4,8 micromet, và hiệu năng của sản phẩm này đến nay vẫn giữ vị trí dẫn đầu. Sở hữu quyền sở hữu trí tuệ toàn diện về quy trình sản xuất SiCmu88 mu88 casino, PineJie Semiconductor có thể tiếp tục thu nhỏ kích thước ô tế bào trên tuyến công nghệ cấu trúc cổng phẳng. Năm nay, công ty sẽ ra mắt sản phẩm SiC MOSFET thế hệ mới với kích thước ô tế bào nhỏ hơn, giúp tăng đáng kể mật độ kênh, từ đó đạt được khả năng tải cao hơn và độ tin cậy tốt hơn.

Mặc dù cấu trúc cổng rãnh có lợi thế về mật độ kênhbóng đá số trực tuyến, nhưng điện trở dẫn của nó thay đổi nhiều theo nhiệt độ. Khi ở nhiệt độ cao, điện trở dẫn sẽ tăng rõ rệt, nguyên nhân chính là do điện trở vùng trôi trong cấu trúc cổng rãnh chiếm tỷ lệ lớn, gây ra hệ số nhiệt độ dương lớn cho tổng điện trở dẫn. Ngoài ra, cấu trúc tinh thể 4H-SiC có tính dị hướng, nên tính chất của mặt cửa sổ cổng giữa cấu trúc cổng phẳng và cấu trúc cổng rãnh có sự khác biệt đáng kể. Các khuyết tật trong cấu trúc cổng phẳng dễ được làm mờ, do đó tính chất ổn định hơn. Trong khi đó, các khuyết tật trong cấu trúc cổng rãnh khó được làm mờ, dẫn đến ảnh hưởng lớn đến các tham số như Vth. Cuối cùng, tiến sĩ Lei Yang đã phân tích vấn đề nhiễu tín hiệu trong ứng dụng cầu của SiC MOSFET và chỉ ra rằng tỉ số Cgs/Cgd của cấu trúc cổng rãnh nhỏ hơn, trong khi tỉ số Cgs/Cgd của cấu trúc cổng phẳng lớn hơn, do đó cấu trúc cổng phẳng có khả năng chống nhiễu tốt hơn và thiết kế mạch điều khiển dễ dàng hơn.

Tiến sĩ Lei Yang cho biếtbóng đá số trực tuyến, xu hướng phát triển công nghệ đóng gói tiên tiến cho SiC MOSFET bao gồm việc tăng khả năng chịu điện áp, cải thiện khả năng tải và giảm tổn hao chuyển mạch. Đồng thời, ông cũng nhấn mạnh những lợi ích mà các công nghệ đóng gói mới mang lại trong quá trình sản xuất hàng loạt, và đề xuất một dạng đóng gói mới – loại đóng gói bề mặt có cách điện bên trong và tản nhiệt phía trên. Trong buổi chia sẻmu88 mu88 casino, tiến sĩ Lei Yang còn giới thiệu về các sản phẩm và dịch vụ của PineJie Semiconductor, bao gồm SiC MOSFET, SiC SBD và GaN HEMT. Công ty cũng dự kiến ra mắt sản phẩm SiC MOSFET 2000V đầu tiên trong năm nay. 。

Trong hội nghịj88bet, tiến sĩ Lei Yang của PineJie đã trao đổi ý tưởng với các chuyên gia trong ngành, cùng nhau bàn luận về xu hướng, từ chuyên môn đến phát triển, từ phát triển đến hợp tác. Chúng tôi hy vọng sẽ có cơ hội giao lưu và thảo luận nhiều hơn với mọi người trong tương lai, cùng nhau đi xa hơn và khám phá sâu hơn trong lĩnh vực bán dẫn.

• Tri thức và hành động nhất quánmu88 mu88 casino, tạo ra giá trị

• Thương hiệu hàng đầu Trung Quốc về thiết bị bán dẫn công suất thế hệ ba

• Tập trung vào nghiên cứuj88bet, thiết kế và công nghiệp hóa bán dẫn dải cấm rộng

• Sản phẩm chính là MOSFET silic cacbua cấp xemu88 mu88 casino, diode silic cacbua SBD và thiết bị công suất nitrua gali

• Sở hữu danh mục thiết bị bán dẫn silic cacbua đầy đủ nhất trong nước

PNJ Semiconductor

Là nhà thiết kế và cung cấp giải pháp thiết bị bán dẫn công suất thế hệ thứ baj88bet, thành lập vào tháng 9 năm 2018, PineJie là một trong những thành viên chính của hội nghị JC-70 thuộc Ủy ban Tiêu chuẩn Quốc tế. Công ty đã phát hành hơn 100 mô hình linh kiện công suất SiC SBD, SiC MOSFET và GaN HEMT ở các mức điện áp 650V/1200V/1700V. Chip SiC MOSFET của công ty đã được tích hợp rộng rãi vào các nhà máy xe điện Trung Quốc và các nhà cung cấp hạng nhất. Các sản phẩm còn lại được sử dụng rộng rãi trong trung tâm dữ liệu lớn, siêu máy tính và blockchain, trạm phát sóng 5G, hệ thống lưu trữ và sạc, năng lượng mặt trời nhỏ, đường sắt tốc độ cao và giao thông đô thị, thiết bị gia đình, cũng như hệ thống truyền tải điện áp cực cao, hàng không vũ trụ, nguồn điện công nghiệp đặc biệt, bộ lưu điện, động cơ điều khiển và nhiều lĩnh vực khác.

Xin liên hệ để tư vấn mẫu: sales@pnjsemi.com