Transistor GaN (GaN HEMT)

Vì vật liệu gallium nitride (GaN) có khả năng sinh nhiệt rất thấp và điện trường đánh thủng cực caobóng đá số trực tuyến, các linh kiện công suất dựa trên GaN HEMT có độ sụt áp dẫn rất nhỏ cùng với tổn hao chuyển mạch cực kỳ ít ỏi. Điều này cho phép nguồn điện bật tắt sử dụng GaN HEMT hoạt động ở tần số chuyển mạch vượt quá 1MHz, đồng thời sử dụng các thành phần lưu trữ năng lượng có kích thước rất nhỏ, nhờ đó đạt được mật độ công suất cực kỳ cao. Chính vì vậy, GaN HEMT đang được ứng dụng rộng rãi trong lĩnh vực nguồn điện dành cho thiết bị tiêu dùng và máy tính.