Điốt SiC (SiC SBD)

Điện tích phục hồi ngược của Diode Schottky bằng Silic Cacbon (SiC SBD) nhỏ hơn rất nhiều so với các sản phẩm tương tự sử dụ Ngoài rađại lý bóng đá, SiC SBD có thể hoạt động ở nhiệt độ mối nối cao hơn. Nhờ những ưu điểm này, SiC SBD giúp giảm đáng kể tổn hao phục hồi ngược và tiếng ồn khi chuyển mạch trong nguồn điện bật tắt, từ đó nâng cao hiệu suất chuyển đổi, mật độ công suất tổng thể và độ tin cậy của hệ thống nguồn. Tính năng vượt trội của SiC SBD còn góp phần làm giảm đáng kể chi phí tổng thể cho các hệ thống điện tử công suất.

Lọc điều kiện:

Package
- TO220-2
- TO220F-2
- TO220I-2
- TO247-2
- TO247-3
- TO252-2
- TO263-2
- TO263S
- TO-3PF-3
- SMB
- DDPAK-LF-10
- TO-252-3
Blocking Voltage
- 650V
- 1200V
Current Rating
- 2A
- 4A
- 6A
- 8A
- 10A
- 16A
- 20A
- 40A
- 5A
- 15A
- 30A
- 60A

Xóa điều kiện

P/N	Buy Online	Package	Blocking Voltage	Current Rating	Q _C	I _FRM @25℃	Forward Voltage(V _F (type) @25℃	I _(FSM) @25℃	Data Sheet	LT Spice Model	Request Sample

P/N	Buy Online	Package	Blocking Voltage	Current Rating	Q _C	I _FRM @25℃	Forward Voltage(V _F (type) @25℃	I _(FSM) @25℃	Data Sheet	LT Spice Model	Request Sample

Điốt SiC (SiC SBD)

Lọc điều kiện:

Package

Blocking Voltage

Current Rating