Vật liệu bán dẫn thế hệ thứ ba như silic carbua (SiC) và gallium nitride (GaN) sở hữu những đặc tính vượt trội như dải cấm rộngca cuoc the thao, cường độ điện trường phá vỡ cao, hệ số dẫn nhiệt lớn, tốc độ bão hòa của electron cao và khả năng chống bức xạ tốt. So với các linh kiện bán dẫn công suất truyền thống dựa trên silicon, các linh kiện công suất dựa trên SiC và GaN có lợi thế đáng kể về điện trở dẫn thấp, tổn thất chuyển mạch nhỏ, nhiệt độ hoạt động cao và khả năng tản nhiệt mạnh mẽ. Do đó, bộ biến đổi điện tử công suất sử dụng linh kiện SiC và GaN có thể nâng cao tần số chuyển mạch đáng kể, giảm kích thước bộ tản nhiệt, linh kiện lưu trữ năng lượng và bộ lọc, từ đó đạt được hiệu suất chuyển đổi và mật độ công suất cao hơn. Các linh kiện công suất SiC và GaN đang dần thay thế các linh kiện công suất truyền thống dựa trên silicon, mang đến một cuộc cách mạng sâu rộng cho ngành công nghiệp bộ biến đổi điện tử công suất. Công ty PNJ Semiconductor chuyên nghiên cứu thiết kế và phát triển các sản phẩm bán dẫn thế hệ thứ ba, với nền tảng kỹ thuật vững chắc và lợi thế toàn diện trong chuỗi cung ứng. Trong đó, thiết kế MOSFET SiC của PNJ Semiconductor đứng đầu trong ngành, với chỉ số kỹ thuật quan trọng HDFM đạt mức dẫn đầu toàn cầu. PNJ Semiconductor đã ra mắt hơn 100 mô hình khác nhau của diode SiC, MOSFET SiC, module công suất SiC và GaN HEMT ở ba cấp điện áp 650V, 1200V và 1700V, cung cấp nhiều lựa chọn đa dạng và hỗ trợ kỹ thuật toàn diện cho khách hàng. Sản phẩm sản xuất hàng loạt của PNJ Semiconductor đã được sử dụng rộng rãi trong lĩnh vực xe điện, nguồn điện thiết bị IT, bộ chuyển đổi quang điện mặt trời, hệ thống lưu trữ năng lượng và ứng dụng công nghiệp, đáp ứng ổn định và liên tục cho các nhà sản xuất cấp 1, đồng thời nhận được sự đánh giá cao từ khách hàng về chất lượng và năng lực cung ứng.