Silicon carbide (SiC) thuộc về thế hệ bán dẫn thứ bađánh bài online, trong đó các linh kiện MOSFET SiC có khả năng hoạt động hiệu quả hơn trong điều kiện điện áp cao, tần số lớn và nhiệt độ tăng so với các linh kiện silicon truyền thống. Việc nâng cao tần số sẽ giúp giảm kích thước của các thành phần từ tính, từ đó đạt được mật độ công suất cao hơn. MOSFET SiC kiểu phẳng của Pinejoint sở hữu lớp oxit cổng rất ổn định, đồng thời ở nhiệt độ cao, giá trị Rdson không bị biến đổi nhiều, mang lại đặc tính làm việc tốt hơn trong môi trường nhiệt độ khắc nghiệt. Thiết bị này sử dụng dạng bọc chân TO247-4, đi kèm với chân Kelvin giúp giảm ảnh hưởng của điện cảm nguồn phụ đến mạch điều khiển cổng, nhờ đó cải thiện tốc độ chuyển mạch, giảm tổn hao chuyển mạch và nâng cao hiệu suất tổng thể.